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DRAM、SRAM、flash都属于内存，但DRAM通常被称为内存，有的朋友可能会把手机闪存误认为是内存。SRAM的存在感相对较弱，但它却是CPU性能的关键。DRAM、SRAM和闪存之间有什么区别以及它们如何工作？

DRAM动态随机存取存储器

DRAM的正式名称是动态随机存取存储器。34；意味着CPU可以访其中的任何地方，不像硬盘每次访都是逐个扇区进行的。

34；由于DRAM是利用电容原理工作的，因此需要定期、反复刷新，以防止因泄漏而导致数据错误。DRAM属于34位；内存，因为断电时DRAM中的所有数据都会丢失。

SRAM静态随机存取存储器

SRAM的存在感相对较弱，因为它很少像DRAM那样以记忆棒的形式直接展示在人们面前。CPU内置的高速缓冲存储器属于SRAM。一些没有DRAM缓存设计的固态硬盘在主控中集成了小型SRAM缓存。

SRAM存储单元是简单的六晶体管锁存器，可以比DRAM更快地保留数据，而无需刷新或回写。但SRAM的密度比DRAM低，成本也比DRAM高，因此在大多数地方只能用作较小的缓存。SRAM中的数据在断电后也会丢失，但它也属于存储器。

闪存闪存

Kioxia在20世纪80年代发明了NAND闪存。闪存断电后仍能继续存储数据，但不能随机存取，读写的最小单位是页-页，擦除的最小单位是块-块。

闪存采用特殊的34;来存储数据，氧化层的存在可以防止浮栅层中电子的损失，因此即使断电后数据也能继续存储。

闪存中的单个存储单元可以存储DRAM和SRAM无法存储的多位数据。根据浮栅层中电子的数量，每个存储单元可以表示1、2、3或4位数据。

闪存的写入和擦除是基于量子隧道效应，每个单元可以存储的数据越多，对跃迁到浮栅层的电子数量控制越严格，写入速度就越慢。TLC闪存优于QLC。

如今的3D闪存的结构与传统闪存不同。当3D闪存的单元布局从水平变为三维时，闪存单元的结构也将类似于圆柱体，浮置栅极将被电荷陷阱结构取代。

新一代固态硬盘采用了96层堆叠技术的3D闪存，而下一代100层堆叠闪存也已完成研发，即将进入量产阶段。我们看到容量、性能和成本方面的新进步。

总结DRAM用作内存，SRAM用作缓存，Flash用作硬盘。就容量而言，请参见SRAMlt;DRAMlt;闪存，而就性能而言，反之亦然。DRAM和SRAM中的数据在断电后会丢失，但写入闪存的数据即使在断电后仍会继续保留。

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